Tấm gốm Alumina 99,5% cho chất bán dẫn

Tấm gốm Alumina 99,5% cho thiết bị bán dẫn

Tấm gốm alumina 99,5% là vật liệu kỹ thuật cao được chế tạo từ nhôm oxit tinh khiết, mang lại độ ổn định, độ bền và hiệu suất vượt trội trong các hệ thống sản xuất chất bán dẫn. Với cấu trúc gốm mịn, độ tinh khiết gần như tuyệt đối và khả năng chịu tải tốt trong môi trường nhiệt – hóa chất phức tạp, vật liệu này trở thành lựa chọn tiêu chuẩn trong ngành bán dẫn hiện đại.

Độ tinh khiết 99,5%

Hàm lượng Al₂O₃ đạt 99,5% giúp giảm thiểu tối đa tạp chất, từ đó hạn chế sự nhiễm bẩn trong quy trình sản xuất chip – nơi yêu cầu môi trường sạch và độ ổn định cao. Độ tinh khiết này đảm bảo hiệu suất điện – cơ – nhiệt luôn ở mức tối ưu.

Độ ổn định nhiệt vượt trội

Gốm alumina có khả năng chịu được nhiệt độ rất cao mà không cong vênh hay suy giảm tính chất cơ học. Đây là yếu tố quan trọng trong các thiết bị khắc, lắng đọng hay xử lý plasma, vốn thường hoạt động trong điều kiện nhiệt độ cực lớn.

Khả năng kháng hóa chất mạnh mẽ

Vật liệu có tính trơ hóa học cao, chống lại axit, kiềm và phần lớn dung môi công nghiệp. Điều này giúp tấm gốm hoạt động bền bỉ trong môi trường phòng sạch bán dẫn, nơi mọi nguy cơ nhiễm bẩn đều được kiểm soát nghiêm ngặt.

Chống mài mòn và va đập

Nhờ độ cứng cao, lớp gốm alumina 99,5% hạn chế tối đa sự mài mòn trong quá trình vận hành, đặc biệt ở các vị trí chịu ma sát liên tục. Điều này giúp kéo dài tuổi thọ thiết bị và giảm chi phí bảo trì.

Khả năng cách điện tốt

Tấm gốm alumina có điện trở suất lớn và độ bền điện môi cao, phù hợp dùng làm lớp cách điện, đế gắn chip hoặc các bộ phận yêu cầu cách điện hoàn hảo.

Độ ổn định kích thước

Trong điều kiện dao động nhiệt lớn, vật liệu vẫn giữ được hình dạng và kích thước ban đầu, đảm bảo độ chính xác cho các quy trình gia công vi mô trong sản xuất chất bán dẫn.

Ứng dụng tiêu biểu trong ngành bán dẫn

Tấm gốm alumina 99,5% được sử dụng rộng rãi làm tấm nền, đế cách điện, tấm mang wafer, linh kiện lót buồng phản ứng, bộ phận trong hệ thống phun, máy khắc plasma và thiết bị lắng đọng màng mỏng (CVD, PVD).